其原因在于7纳🎖👇米是芯片技术的一个重要里程碑,它代表了制造芯片的最先进工艺之一,七纳米以下的芯片属于先进进程芯片。

    相比之前的工艺,如14纳米🏜🚷😅或10纳米,7纳米及以下的芯片使用的设计、光刻、材料等各方面都有一个重大的转折点。

    不仅仅是可以在同样大小的芯片上容纳更多的晶体管,提供更强的计算和处理能力,降低功耗和热量的产生,提高电池续航时☒⚠💲间和设备的可靠性等等。

    七纳米🆾及以下的芯片在设计材料、工艺等各方面都有巨大的改🕉变。

    比如在芯🚛片的水平阵列中采用环栅(GAA)纳米线,在7纳米这个节点时,就不可避免要采用隧道FET🗠🝅🈰和III-V族元素沟道材料和垂直🔹纳米线来完善。

    而7纳米以上的工艺则不需要这些。

    说起来🆾,芯片的发🎿🖸展和🚘设计制造,其实就像是一栋楼的楼梯。

    从高层逐渐🊙🐰🃡🊙🐰🃡往下走,每下降一点就走下一个台阶,就意味着解决一个问题。

    而到了🆾28纳米、14纳米、7纳米、5纳米、3纳米、2纳米这些楼层,就意味着你到了对应楼层的转折处。

    能支撑你🚛往下继续走的🚘,不仅仅是某一个问题的解决,而是某一系列,甚至更多的问题解决。

    光🀭⛫🀭⛫源、材料、EDA、设计等等各方面,全都要突破才能继续往下沉。

    比如光源,不同的光波长不同,能够进🐯🃗🗾行曝光尺度也不同,而在芯片领域,随🀦着微电子制造工艺的不断进步,芯片晶体管的尺寸越来越小,对器件结构的要求越来越高,就需要更高分辨率和更精细的曝光图案。

    稍微关注一点这块的人,目前市面上🁵🊈的光刻机大体上分为DUV和EUV。

    DUV是目前比较成熟的方案,现阶段最高采用193nm波长的深紫🁉🃼🝋外光源,被广泛应用在7nm以及7nm以前的工艺里。

    而🀭⛫伴随着工艺的继续微缩,D🏜🚷😅UV已经力不从心,就需要使用极紫外光光源🚋👷的EUV设备了。

    所以徐川才对这位丁蔀长所🄢⚺🖜说的7纳米这么惊讶。

    因为按🆾照🚛他的了解,老实说这🏜🚷😅的确不是华国现在就做出来了的东西。

    虽然丁🆾经国说还有难题未突破,但能这么说,那🌦就肯定只🞭差最后一点点了。

    徐川惊讶的🊙🐰🃡是,国家这些年暗地里瞒着米国等西方国家搞了不🕉少的动作啊。🚋👷

    不愧是兔子,狡兔三窟,犹有过之。